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基本信息:
- 专利标题: SEMICONDUCTOR DEVICES
- 专利标题(中):半导体器件
- 申请号:US14963987 申请日:2015-12-09
- 公开(公告)号:US20160172372A1 公开(公告)日:2016-06-16
- 发明人: JU-MI YUN , YOUNG-JIN NOH , KWANG-MIN PARK , JAE-YOUNG AHN , GUK-HYON YON , DONG-CHUL YOO , JOONG-YUN RA , YOUNG-SEON SON , JEON-IL LEE , HUN-HYEONG LIM
- 申请人: JU-MI YUN , YOUNG-JIN NOH , KWANG-MIN PARK , JAE-YOUNG AHN , GUK-HYON YON , DONG-CHUL YOO , JOONG-YUN RA , YOUNG-SEON SON , JEON-IL LEE , HUN-HYEONG LIM
- 优先权: KR10-2014-0177547 20141210
- 主分类号: H01L27/115
- IPC分类号: H01L27/115 ; H01L29/51 ; H01L29/49 ; H01L29/788
摘要:
A semiconductor device is provided as follows. A tunnel insulation layer is disposed on a substrate. The tunnel insulation layer includes a first silicon oxide layer, a second silicon oxide layer, and a silicon layer interposed between the first silicon oxide layer and the second silicon oxide layer. The silicon layer has a thickness smaller than a thickness of each of the first silicon oxide layer and the second silicon oxide layer. A gate pattern is disposed on the tunnel insulation layer.
摘要(中):
如下提供半导体器件。 隧道绝缘层设置在基板上。 隧道绝缘层包括第一氧化硅层,第二氧化硅层和介于第一氧化硅层和第二氧化硅层之间的硅层。 硅层的厚度小于第一氧化硅层和第二氧化硅层的厚度。 栅极图案设置在隧道绝缘层上。
公开/授权文献:
- US09754959B2 Non-volatile semiconductor devices 公开/授权日:2017-09-05
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
--------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
--------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |