发明申请
US20160155861A1 Method of Manufacturing a Device by Locally Heating One or More Metalization Layers and by Means of Selective Etching
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： Method of Manufacturing a Device by Locally Heating One or More Metalization Layers and by Means of Selective Etching
- 专利标题（中）：通过局部加热一个或多个金属化层并通过选择性蚀刻来制造器件的方法
- 申请号：US15017252 申请日：2016-02-05
- 公开(公告)号：US20160155861A1 公开(公告)日：2016-06-02
- 发明人： Roland Rupp , Stefan Woehlert , Thomas Gutt , Michael Treu
- 申请人： Infineon Technologies AG
- 主分类号： H01L29/808
- IPC分类号： H01L29/808 ; H01L29/417 ; H01L29/423 ; H01L23/528 ; H01L29/872
摘要：
A method of manufacturing a device comprises depositing one or more metallization layers to a substrate, locally heating an area of the one or more metallization layers to obtain a substrate/metallization-layer compound or a metallization-layer compound, the compound comprising an etch-selectivity toward an etching medium which is different to that of the one or more metallization layers outside the area, and removing the one or more metallization layers in the area or outside the area, depending on the etching selectivity in the area or outside the area, by etching with the etching medium to form the device.
摘要（中）：
一种制造器件的方法包括将一个或多个金属化层沉积到衬底上，局部加热所述一个或多个金属化层的区域以获得衬底/金属化层化合物或金属化层化合物，所述化合物包含蚀刻 - 选择性不同于区域外的一个或多个金属化层的蚀刻介质的选择性，以及根据该区域或区域外的蚀刻选择性，去除该区域或区域外的一个或多个金属化层， 通过用蚀刻介质蚀刻以形成该器件。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/808 | ......带有PN结栅的 |