发明申请
US20160093539A1 MODIFICATION PROCESSING DEVICE, MODIFICATION MONITORING DEVICE AND MODIFICATION PROCESSING METHOD
有权
基本信息:
- 专利标题： MODIFICATION PROCESSING DEVICE, MODIFICATION MONITORING DEVICE AND MODIFICATION PROCESSING METHOD
- 专利标题（中）：修改处理设备，修改监控设备和修改处理方法
- 申请号：US14866835 申请日：2015-09-25
- 公开(公告)号：US20160093539A1 公开(公告)日：2016-03-31
- 发明人： Hidetoshi NAKANISHI , Akira ITO , Iwao KAWAYAMA , Masayoshi TONOUCHI , Yuji SAKAI
- 申请人： SCREEN Holdings Co., Ltd. , OSAKA UNIVERSITY
- 优先权： JP2014-196295 20140926
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66 ; G01J1/42 ; G01N21/64 ; H01L21/26
摘要：
There is provided a technique for easily inspecting the modification state of a film in a semiconductor substrate. A modification processing device modifies a film by irradiating a semiconductor substrate with pulsed light emitted from a light irradiation part. The modification processing device includes an electromagnetic wave detection part for detecting an electromagnetic wave pulse including a millimeter wave or a terahertz wave radiated from the semiconductor substrate in response to the irradiation with the pulsed light. The modification processing device further includes a modification determination part for determining the modification state, based on the intensity of the electromagnetic wave pulse.
摘要（中）：
提供了一种用于容易地检查半导体衬底中的膜的修饰状态的技术。 修改处理装置通过用从光照射部发射的脉冲光照射半导体基板来修改膜。 修改处理装置包括电磁波检测部件，用于响应于脉冲光的照射，检测包括从半导体衬底辐射的毫米波或太赫兹波的电磁波脉冲。 修改处理装置还包括基于电磁波脉冲的强度来确定修改状态的修改确定部。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |