基本信息:
- 专利标题： NANOCRYSTAL THIN FILM FABRICATION METHODS AND APPARATUS
- 专利标题（中）：NANOCRYSTAL薄膜制造方法和装置
- 申请号：US14761799 申请日：2014-01-17
- 公开(公告)号：US20150364324A1 公开(公告)日：2015-12-17
- 发明人： CHERIE R. KAGAN , DAVID K. KIM , JI-HYUK CHOI , YUMING LAI
- 申请人： THE TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF PENNSYLVANIA
- 申请人地址： US PA Philadelphia
- 专利权人： The Trustees of the University of Pennsylvania
- 当前专利权人： The Trustees of the University of Pennsylvania
- 当前专利权人地址： US PA Philadelphia
- 国际申请： PCT/US2014/012023 WO 20140117
- 主分类号： H01L21/225
- IPC分类号： H01L21/225 ; H01L21/306 ; H01L29/36
摘要：
Nanocrystal thin film devices and methods for fabricating nanocrystal thin film devices are disclosed. The nanocrystal thin films are diffused with a dopant such as Indium, Potassium, Tin, etc. to reduce surface states. The thin film devices may be exposed to air during a portion of the fabrication. This enables fabrication of nanocrystal-based devices using a wider range of techniques such as photolithography and photolithographic patterning in an air environment.
摘要（中）：
公开了纳米晶体薄膜器件和制造纳米晶体薄膜器件的方法。 纳米晶体薄膜用铟，钾，锡等掺杂剂扩散，以降低表面状态。 在制造的一部分期间，薄膜器件可能暴露于空气中。 这使得能够使用更宽范围的技术制造基于纳米晶体的器件，例如在空气环境中的光刻和光刻图案化。
公开/授权文献:
- US09865465B2 Nanocrystal thin film fabrication methods and apparatus 公开/授权日：2018-01-09
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/225 | .....应用从固相向固体或从固体向固相的扩散法，例如掺杂氧化层 |