发明申请
US20150348791A1 METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MAKING LIQUID EJECTION HEAD SUBSTRATE
有权
基本信息:
- 专利标题： METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MAKING LIQUID EJECTION HEAD SUBSTRATE
- 专利标题（中）：制造半导体基板的方法和制造液体喷射头基板的方法
- 申请号：US14723312 申请日：2015-05-27
- 公开(公告)号：US20150348791A1 公开(公告)日：2015-12-03
- 发明人： Hiroshi Higuchi , Takayuki Kamimura
- 申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA
- 优先权： JP2014-112001 20140530; JP2015-088301 20150423
- 主分类号： H01L21/308
- IPC分类号： H01L21/308 ; H01L21/3065
摘要：
A method of making a semiconductor substrate having a through-hole includes a step of forming an etching mask on a semiconductor substrate in accordance with a pattern corresponding to the through-hole, and a step of forming the through-hole by etching the semiconductor substrate, on which the etching mask has been formed, by reactive ion etching. At least a part of the pattern corresponding to the through-hole is formed so that the semiconductor substrate is exposed in a frame-like shape along the inner edge of the through-hole.
摘要（中）：
制造具有通孔的半导体衬底的方法包括根据与通孔对应的图案在半导体衬底上形成蚀刻掩模的步骤，以及通过蚀刻半导体衬底形成通孔的步骤 ，其上形成有蚀刻掩模，通过反应离子蚀刻。 形成与通孔对应的图案的至少一部分，使得半导体基板沿着通孔的内边缘以框状形状露出。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/308 | .......应用掩膜的 |