基本信息:
- 专利标题： METHOD OF GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
- 专利标题（中）：生长氮化物半导体器件的方法
- 申请号：US14667435 申请日：2015-03-24
- 公开(公告)号：US20150279658A1 公开(公告)日：2015-10-01
- 发明人： Keiichi YUI , Ken Nakata , Isao Makabe , Tsuyoshi KOUCHI
- 申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
- 申请人地址： JP Osaka
- 专利权人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
- 当前专利权人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
- 当前专利权人地址： JP Osaka
- 优先权： JP2014-063797 20140326
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; C30B29/40 ; C30B25/16 ; H01L29/20 ; H01L29/205
摘要：
A method to produce a nitride semiconductor device is disclosed, The method includes a step to grow sequentially, on a substrate, an AlN layer, a AlGaN layer with the Al composition not less than 2.5% but not greater than 9%, a GaN layer with a thickness not less than 250 nm but not greater than 1400 nm. A feature of the process is that, after the growth of the AlGaN layer but before the growth of the GaN layer, at least the source gases for the group III elements are interrupted to be supplied for a period of not less than 80 seconds but not longer than 220 seconds.
摘要（中）：
公开了一种制造氮化物半导体器件的方法。该方法包括在衬底上AlN层，Al组成不超过2.5％但不大于9％的AlGaN层依次生长的步骤，GaN层 厚度不小于250nm但不大于1400nm。 该方法的特征在于，在AlGaN层生长之后但是在GaN层生长之前，至少III族元素的源气体被中断以供给不少于80秒但不是 超过220秒。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |