基本信息:
- 专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
- 专利标题（中）：半导体器件及其制造方法
- 申请号：US14274861 申请日：2014-05-12
- 公开(公告)号：US20150041899A1 公开(公告)日：2015-02-12
- 发明人： Junggil YANG , SANGSU KIM , TaeYong KWON , SUNG GI HUR
- 申请人： Junggil YANG , SANGSU KIM , TaeYong KWON , SUNG GI HUR
- 优先权： KR10-2013-0095490 20130812
- 主分类号： H01L27/092
- IPC分类号： H01L27/092
摘要：
A semiconductor device includes a substrate including first and second regions, a first transistor provided on the first region to include a first channel region protruding from the substrate, and a second transistor provided on the second region to include a second channel region and a gate electrode extending between the substrate and the second channel region. The first channel region may include a lower semiconductor pattern containing a different material from the second channel region and an upper semiconductor pattern containing the same material as the second channel region.
摘要（中）：
半导体器件包括包括第一和第二区域的衬底，第一晶体管，设置在第一区域上，以包括从衬底突出的第一沟道区域;以及第二晶体管，设置在第二区域上以包括第二沟道区域和栅电极 在衬底和第二沟道区之间延伸。 第一沟道区可以包括含有与第二沟道区不同的材料的下半导体图案和包含与第二沟道区相同的材料的上半导体图案。
公开/授权文献:
- US09466601B2 Semiconductor device and method of fabricating the same 公开/授权日：2016-10-11
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/085 | ....只包含场效应的组件 |
| ----------------H01L27/088 | .....有绝缘栅场效应晶体管的组件 |
| ------------------H01L27/092 | ......互补MIS场效应晶体管 |