基本信息:
- 专利标题： HIGH VOLTAGE LATERALLY DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR
- 专利标题（中）：高压侧向扩散金属氧化物半导体
- 申请号：US13912781 申请日：2013-06-07
- 公开(公告)号：US20140346597A1 公开(公告)日：2014-11-27
- 发明人： Natalie B. Feilchenfeld , Theodore J. Letavic , Richard A. Phelps , Santosh Sharma , Yun Shi , Michael J. Zierak
- 申请人： International Business Machines Corporation
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/66
摘要：
High-voltage LDMOS devices with voltage linearizing field plates and methods of manufacture are disclosed. The method includes forming an insulator layer of varying depth over a drift region and a body of a substrate. The method further includes forming a control gate and a split gate region by patterning a layer of material on the insulator layer. The split gate region is formed on a first portion of the insulator layer and the control gate is formed on a second portion of the insulator layer, which is thinner than the first portion.
摘要（中）：
公开了具有电压线性化场板的高压LDMOS器件和制造方法。 该方法包括在漂移区域和基底体上形成不同深度的绝缘体层。 该方法还包括通过在绝缘体层上图案化一层材料来形成控制栅极和分裂栅极区域。 分离栅极区域形成在绝缘体层的第一部分上，并且控制栅极形成在绝缘体层的比第一部分更薄的第二部分上。
公开/授权文献:
- US09059276B2 High voltage laterally diffused metal oxide semiconductor 公开/授权日：2015-06-16
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |