基本信息:
- 专利标题： Wafer scale technique for interconnecting vertically stacked dies
- 专利标题（中）：用于互连垂直堆叠模具的晶圆刻度技术
- 申请号：US14354647 申请日：2012-11-01
- 公开(公告)号：US20140300008A1 公开(公告)日：2014-10-09
- 发明人： Pinxiang Duan , Elbertus Smalbrugge , Oded Raz , Harmen Joseph Sebastiaan Dorren
- 申请人： Technische Universiteit Eindhoven
- 国际申请： PCT/EP2012/071653 WO 20121101
- 主分类号： H01L23/00
- IPC分类号： H01L23/00
摘要：
A method and device for interconnecting stacked die surfaces with electrically conductive traces is provided that includes bonding, using a first layer of a photoresist compound, a second die (2) on top of a first die (1), heating the first layer above a pyrolyzation point of the photoresist compound, where the photoresist compound transitions to a stable layer, depositing a second layer of the photoresist compound (PR), using lithography, from a top surface of the first die (1) to a top surface of the second die (2), heating the second photoresist compound layer to a liquid state, where the liquid photoresist compound forms a smooth convex bridge between the first die (1) top surface and the second die (2) top surface, and depositing an electrically conductive layer on the smooth convex bridge, where an electrically conductive trace is formed between the first die (1) top surface and the second die (2) top surface.
摘要（中）：
提供了一种用于将堆叠的裸片表面与导电迹线互连的方法和装置，其包括使用第一层光致抗蚀剂化合物，在第一裸片（1）的顶部上接合第二裸片（2），将第一层 光致抗蚀剂化合物的热解点，其中光致抗蚀剂化合物转变到稳定的层，使用光刻从第一模具（1）的顶表面沉积到第二层的顶表面上的光致抗蚀剂化合物（PR）的第二层 （2），将第二光致抗蚀剂化合物层加热到液态，其中液体光致抗蚀剂化合物在第一管芯（1）顶表面和第二管芯（2）顶表面之间形成平滑的凸起桥，并且沉积导电 其中在第一模具（1）顶表面和第二模具（2）顶表面之间形成导电迹线。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |