发明申请
US20140203287A1 NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICE WITH CURRENT-BLOCKING MECHANISM AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICE WITH CURRENT-BLOCKING MECHANISM AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
- 专利标题（中）：具有电流闭塞机构的氮化物发光器件及其制造方法
- 申请号：US13555087 申请日：2012-07-21
- 公开(公告)号：US20140203287A1 公开(公告)日：2014-07-24
- 发明人： JIANPING ZHANG , MARIO SAENGER , WILLIAM SO , FANGHAI ZHAO , CHUNHUI YAN
- 申请人： JIANPING ZHANG , MARIO SAENGER , WILLIAM SO , FANGHAI ZHAO , CHUNHUI YAN
- 申请人地址： HK CENTRAL
- 专利权人： INVENLUX LIMITED
- 当前专利权人： INVENLUX LIMITED
- 当前专利权人地址： HK CENTRAL
- 主分类号： H01L33/32
- IPC分类号： H01L33/32
摘要：
A nitride light emitting device comprises a current blocking Schottky junction zone formed below the p-electrode and above the active region so that current injection from the p-electrode to the area of the active region that is vertically shaded by the p-electrode is blocked by the Schottky junction zone. A method for fabricating the same is also provided.
摘要（中）：
氮化物发光器件包括形成在p电极下方和有源区上方的电流阻挡肖特基结区域，使得从p电极到被p电极垂直阴影的有源区域的电流被阻挡 由肖特基交界处。 还提供了一种制造该方法的方法。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L33/16 | ..具有一个特殊晶体结构或取向，例如多晶的、非晶的或多孔的 |
| ------------H01L33/30 | ...只包括周期体系中的III族和V族的元素 |
| --------------H01L33/32 | ....含氮 |