发明申请
US20140150553A1 PACKAGING SYSTEM AND PROCESS FOR INERTIAL SENSOR MODULES USING MOVING-GATE TRANSDUCERS
有权
![PACKAGING SYSTEM AND PROCESS FOR INERTIAL SENSOR MODULES USING MOVING-GATE TRANSDUCERS](/abs-image/US/2014/06/05/US20140150553A1/abs.jpg.150x150.jpg)
基本信息:
- 专利标题: PACKAGING SYSTEM AND PROCESS FOR INERTIAL SENSOR MODULES USING MOVING-GATE TRANSDUCERS
- 专利标题(中):使用移动栅传感器的惯性传感器模块的包装系统和过程
- 申请号:US14094450 申请日:2013-12-02
- 公开(公告)号:US20140150553A1 公开(公告)日:2014-06-05
- 发明人: Ando Feyh , Po-Jui Chen
- 申请人: Robert Bosch GmbH
- 申请人地址: DE Stuttgart
- 专利权人: Robert Bosch GmbH
- 当前专利权人: Robert Bosch GmbH
- 当前专利权人地址: DE Stuttgart
- 主分类号: G01P15/08
- IPC分类号: G01P15/08 ; B81C1/00 ; G01P15/105
摘要:
A sensor device includes a first CMOS chip and a second CMOS chip with a first moving-gate transducer formed in the first CMOS chip for implementing a first 3-axis inertial sensor and a second moving-gate transducer formed in the second CMOS chip for implementing a second 3-axis inertial sensor. An ASIC for evaluating the outputs of the first 3-axis inertial sensor and the second 3-axis inertial sensor is distributed between the first CMOS chip and the second CMOS chip.
摘要(中):
传感器装置包括第一CMOS芯片和第二CMOS芯片,其中第一移动栅极换能器形成在第一CMOS芯片中,用于实现第一三轴惯性传感器和形成在第二CMOS芯片中的第二移动栅极换能器,用于实现 第二个三轴惯性传感器。 用于评估第一3轴惯性传感器和第二3轴惯性传感器的输出的ASIC被分配在第一CMOS芯片和第二CMOS芯片之间。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
G | 物理 |
--G01 | 测量;测试 |
----G01P | 线速度或角速度、加速度、减速度或冲击的测量;运动的存在、不存在或方向的指示 |
------G01P15/00 | 测量加速度;测量减速度;测量冲击即加速度的突变 |
--------G01P15/02 | .利用惯性力 |
----------G01P15/08 | ..用变换成电或磁量 |