基本信息:
- 专利标题： METAL GATE ELECTRODE OF A FIELD EFFECT TRANSISTOR
- 专利标题（中）：场效应晶体管的金属栅极电极
- 申请号：US14018087 申请日：2013-09-04
- 公开(公告)号：US20140004694A1 公开(公告)日：2014-01-02
- 发明人： Cheng-Hao HOU , Peng-Soon LIM , Da-Yuan LEE , Xiong-Fei YU , Chun-Yuan CHOU , Fan-Yi HSU , Jian-Hao CHEN , Kuang-Yuan HSU
- 申请人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
- 申请人地址： TW Hsinchu
- 专利权人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
- 当前专利权人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
- 当前专利权人地址： TW Hsinchu
- 主分类号： H01L29/40
- IPC分类号： H01L29/40
摘要：
A method of fabricating a metal gate electrode of a field effect transistor includes forming a dielectric layer over an active region, and forming an opening in the dielectric layer. The method further includes partially filling the opening with a high-dielectric-constant material, partially filling the opening with a conformal first metal material over the high-dielectric-constant material, and filling the opening with a capping layer over the first metal material. The method further includes partially removing the first metal material and capping layer in the opening using a wet etching process. The method further includes fully removing the remaining capping layer in the opening using a wet etching process. The method further includes depositing a second metal material in the opening over the remaining first metal material, and planarizing the second metal material.
摘要（中）：
制造场效应晶体管的金属栅电极的方法包括在有源区上形成电介质层，并在电介质层中形成开口。 该方法还包括用高介电常数材料部分地填充开口，用高介电常数材料上的共形第一金属材料部分地填充开口，并且在第一金属材料上用覆盖层填充开口。 该方法还包括使用湿蚀刻工艺部分去除开口中的第一金属材料和封盖层。 该方法还包括使用湿蚀刻工艺完全去除开口中的剩余盖层。 该方法还包括在剩余的第一金属材料上的开口中沉积第二金属材料，以及平坦化第二金属材料。
公开/授权文献:
- US09196691B2 Metal gate electrode of a field effect transistor 公开/授权日：2015-11-24