基本信息:
- 专利标题： LITHOGRAPHIC TARGETS FOR UNIFORMITY CONTROL
- 专利标题（中）：用于均匀控制的平台目标
- 申请号：US13810974 申请日：2011-07-25
- 公开(公告)号：US20130295698A1 公开(公告)日：2013-11-07
- 发明人： Rainer Pforr , Guy Ben-Zvi , Vladimir Dmitriev , Erez Graitzer
- 申请人： Rainer Pforr , Guy Ben-Zvi , Vladimir Dmitriev , Erez Graitzer
- 国际申请： PCT/EP2011/062761 WO 20110725
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66 ; G06F17/50
摘要：
A photo mask having a first set of patterns and a second set of patterns is provided in which the first set of patterns correspond to a circuit pattern to be fabricated on a wafer, and the second set of patterns have dimensions such that the second set of patterns do not contribute to the circuit pattern that is produced using a lithography process based on the first set of patterns under a first exposure condition. The critical dimension distribution of the photo mask is determined based on the second set of patterns that do not contribute to the circuit pattern produced using the lithography process based on the first set of patterns under the first exposure condition.
摘要（中）：
提供了具有第一组图案和第二组图案的光掩模，其中第一组图案对应于要在晶片上制造的电路图案，并且第二组图案具有尺寸，使得第二组图案 图案不利于在第一曝光条件下使用基于第一组图案的光刻工艺产生的电路图案。 基于在第一曝光条件下基于第一组图案的使用光刻处理产生的电路图案的第二组图案来确定光掩模的临界尺寸分布。
公开/授权文献:
- US08871409B2 Lithographic targets for uniformity control 公开/授权日：2014-10-28
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |