基本信息:
- 专利标题： Dummy FinFET Structure and Method of Making Same
- 专利标题（中）：虚拟FinFET结构及其制作方法
- 申请号：US13454960 申请日：2012-04-24
- 公开(公告)号：US20130277760A1 公开(公告)日：2013-10-24
- 发明人： Chang-Shen Lu , Chih-Tang Peng , Tai-Chun Huang , Pei-Ren Jeng , Hao-Ming Lien , Yi-Hung Lin , Tze-Liang Lee , Syun-Ming Jang
- 申请人： Chang-Shen Lu , Chih-Tang Peng , Tai-Chun Huang , Pei-Ren Jeng , Hao-Ming Lien , Yi-Hung Lin , Tze-Liang Lee , Syun-Ming Jang
- 申请人地址： TW Hsin-Chu
- 专利权人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.
- 当前专利权人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.
- 当前专利权人地址： TW Hsin-Chu
- 主分类号： H01L27/088
- IPC分类号： H01L27/088 ; H01L21/20
摘要：
A FinFET device may include a dummy FinFET structure laterally adjacent an active FinFET structure to reduce stress imbalance and the effects of stress imbalance on the active FinFET structure. The FinFET device comprises an active FinFET comprising a plurality of semiconductor fins, and a dummy FinFET comprising a plurality of semiconductor fins. The active FinFET and the dummy FinFET are laterally spaced from each other by a spacing that is related to the fin pitch of the active FinFET.
摘要（中）：
FinFET器件可以包括横向邻近有源FinFET结构的虚设FinFET结构，以减少应力不平衡以及应力不平衡对有源FinFET结构的影响。 FinFET器件包括包括多个半导体鳍片的有源FinFET和包括多个半导体鳍片的虚设FinFET。 有源FinFET和虚拟FinFET彼此横向间隔开与有源FinFET的鳍间距有关的间隔。
公开/授权文献:
- US09647066B2 Dummy FinFET structure and method of making same 公开/授权日：2017-05-09
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/085 | ....只包含场效应的组件 |
| ----------------H01L27/088 | .....有绝缘栅场效应晶体管的组件 |