基本信息:
- 专利标题： METHOD FOR MANUFACTURING THROUGH-SILICON VIA
- 专利标题（中）：通过硅制造方法
- 申请号：US13176790 申请日：2011-07-06
- 公开(公告)号：US20130011938A1 公开(公告)日：2013-01-10
- 发明人： Wei-Che TSAO , Chia-Lin Hsu , Jen-Chieh Lin , Teng-Chun Tsai , Hsin-Kuo Hsu , Ya-Hsueh Hsieh , Ren-Peng Huang , Chih-Hsien Chen , Wen-Chin Lin , Yung-Lun Hsieh
- 申请人： Wei-Che TSAO , Chia-Lin Hsu , Jen-Chieh Lin , Teng-Chun Tsai , Hsin-Kuo Hsu , Ya-Hsueh Hsieh , Ren-Peng Huang , Chih-Hsien Chen , Wen-Chin Lin , Yung-Lun Hsieh
- 申请人地址： TW HSINCHU
- 专利权人： UNITED MICROELECTRONICS CORP.
- 当前专利权人： UNITED MICROELECTRONICS CORP.
- 当前专利权人地址： TW HSINCHU
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66 ; H01L21/306 ; H01L21/304
摘要：
A method for manufacturing TSVs, wherein the method comprises several steps as follows: A stack structure having a substrate and an ILD layer (inter layer dielectric layer) is provided, in which an opening penetrating through the ILD layer and further extending into the substrate is formed. After an insulator layer and a metal barrier layer are formed on the stack structure and the sidewalls of the opening, a top metal layer is then formed on the stack structure to fulfill the opening. A first planarization process stopping on the barrier layer is conducted to remove a portion of the top metal layer. A second planarization process stopping on the ILD layer is subsequently conducted to remove a portion of the metal barrier layer, a portion of the insulator layer and a portion of the top metal layer, wherein the second planarization process has a polishing endpoint determined by a light interferometry or a motor current.
摘要（中）：
一种制造TSV的方法，其中该方法包括以下几个步骤：提供具有基板和ILD层（层间电介质层）的堆叠结构，其中穿透ILD层并进一步延伸到基板中的开口是 形成。 在堆叠结构和开口的侧壁上形成绝缘体层和金属阻挡层之后，在堆叠结构上形成顶部金属层以实现开口。 进行停止在阻挡层上的第一平面化处理以去除顶部金属层的一部分。 随后进行停止在ILD层上的第二平坦化处理以去除金属阻挡层的一部分，绝缘体层的一部分和顶部金属层的一部分，其中第二平坦化工艺具有由光线确定的抛光终点 干涉测量或电机电流。
公开/授权文献:
- US08828745B2 Method for manufacturing through-silicon via 公开/授权日：2014-09-09
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |