发明申请
US20120318666A1 METHOD AND APPARATUS FOR ELECTROPLATING ON SOI AND BULK SEMICONDUCTOR WAFERS
有权
基本信息:
- 专利标题： METHOD AND APPARATUS FOR ELECTROPLATING ON SOI AND BULK SEMICONDUCTOR WAFERS
- 专利标题（中）：在SOI和大块半导体波导上电镀的方法和装置
- 申请号：US13561599 申请日：2012-07-30
- 公开(公告)号：US20120318666A1 公开(公告)日：2012-12-20
- 发明人： Veeraraghavan S. Basker , Eduard Cartier , Hariklia Deligianni , Rajarao Jammy , Vamsi K. Paruchuri
- 申请人： Veeraraghavan S. Basker , Eduard Cartier , Hariklia Deligianni , Rajarao Jammy , Vamsi K. Paruchuri
- 申请人地址： US NY Armonk
- 专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人地址： US NY Armonk
- 主分类号： C25D19/00
- IPC分类号： C25D19/00
摘要：
An electroplating apparatus and method for depositing a metallic layer on the surface of a wafer is provided wherein said apparatus and method do not require physical attachment of an electrode to the wafer. The surface of the wafer to be plated is positioned to face the anode and a plating fluid is provided between the wafer and the electrodes to create localized metallic plating. The wafer may be positioned to physically separate and lie between the anode and cathode so that one side of the wafer facing the anode contains a catholyte solution and the other side of the wafer facing the cathode contains an anolyte solution. Alternatively, the anode and cathode may exist on the same side of the wafer in the same plating fluid. In one example, the anode and cathode are separated by a semi permeable membrane.
摘要（中）：
提供了一种用于在晶片的表面上沉积金属层的电镀设备和方法，其中所述设备和方法不需要将电极物理附接到晶片。 要镀覆的晶片的表面被定位成面对阳极，并且在晶片和电极之间设置电镀液以产生局部金属电镀。 晶片可以被定位成物理分离并且位于阳极和阴极之间，使得面向阳极的晶片的一侧包含阴极电解液，并且晶片的面向阴极的另一侧包含阳极电解液。 或者，阳极和阴极可以存在于同一电镀液中晶片的同一侧。 在一个实例中，阳极和阴极被半透膜隔开。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C25 | 电解或电泳工艺；其所用设备 |
| ----C25D | 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸；工件的电解法接合；所用的装置 |
| ------C25D19/00 | 电解镀覆的成套设备 |