基本信息:
- 专利标题： SCHOTTKY DIODE WITH LOW FORWARD VOLTAGE DROP
- 专利标题（中）：肖特基二极管，具有低前进电压降
- 申请号：US13186496 申请日：2011-07-20
- 公开(公告)号：US20120205771A1 公开(公告)日：2012-08-16
- 发明人： Chiun-Yen TUNG , Kai-Ying WANG , Chia-Ling LU , Kuo-Hsien WU , Kun-Hsien CHEN
- 申请人： Chiun-Yen TUNG , Kai-Ying WANG , Chia-Ling LU , Kuo-Hsien WU , Kun-Hsien CHEN
- 申请人地址： CN Dongguan
- 专利权人： PYNMAX TECHNOLOGY CO., LTD.
- 当前专利权人： PYNMAX TECHNOLOGY CO., LTD.
- 当前专利权人地址： CN Dongguan
- 优先权： TW100202613 20110211
- 主分类号： H01L29/872
- IPC分类号： H01L29/872
摘要：
A Schottky diode with a low forward voltage drop has an N− type doped drift layer formed on an N+ type doped layer. The N− type doped drift layer has a first surface with a protection ring inside which is a P-type doped area. The N− type doped drift layer surface is further formed with an oxide layer and a metal layer. The contact region between the metal layer and the N− type doped drift layer and the P-type doped area forms a Schottky barrier. The height of the Schottky barrier is lower than the surface of the N− type doped drift layer, thereby reducing the thickness of the N− type doped drift layer under the Schottky barrier. This configuration reduces the forward voltage drop of the Schottky barrier.
摘要（中）：
具有低正向压降的肖特基二极管具有形成在N +型掺杂层上的N型掺杂漂移层。 N型掺杂漂移层具有带有保护环的第一表面，其内部是P型掺杂区域。 N型掺杂漂移层表面还形成有氧化物层和金属层。 金属层和N型掺杂漂移层和P型掺杂区域之间的接触区域形成肖特基势垒。 肖特基势垒的高度低于N-型掺杂漂移层的表面，从而减小肖特基势垒下的N-型掺杂漂移层的厚度。 该配置减少了肖特基势垒的正向压降。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/86 | ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的 |
| ------------H01L29/861 | ...二极管 |
| --------------H01L29/872 | ....肖特基二极管 |