基本信息:
- 专利标题： CHEMICAL VAPOR DEPOSITION REACTOR
- 专利标题（中）：化学蒸气沉积反应器
- 申请号：US12248167 申请日：2008-10-09
- 公开(公告)号：US20120111271A1 公开(公告)日：2012-05-10
- 发明人： Michael J. Begarney , Frank J. Campanale
- 申请人： Michael J. Begarney , Frank J. Campanale
- 主分类号： C23C16/455
- IPC分类号： C23C16/455 ; B67D7/02 ; F16L35/00
摘要：
A CVD reactor, such as a MOCVD reactor conducting metalorganic chemical vapor deposition of epitaxial layers, is provided. The CVD or MOCVD reactor generally comprises a flow flange assembly, adjustable proportional flow injector assembly, a chamber assembly, and a multi-segment center rotation shaft. The reactor provides a novel geometry to specific components that function to reduce the gas usage while also improving the performance of the deposition.
摘要（中）：
提供CVD反应器，例如进行外延层的金属有机化学气相沉积的MOCVD反应器。 CVD或MOCVD反应器通常包括流动凸缘组件，可调节比例流动注射器组件，室组件和多段中心旋转轴。 反应器为特定组分提供了新颖的几何形状，其功能可以减少气体使用，同时也提高了沉积的性能。
公开/授权文献:
- US08778079B2 Chemical vapor deposition reactor 公开/授权日：2014-07-15