基本信息:
- 专利标题： ETCHING SYSTEM AND METHOD OF CONTROLLING ETCHING PROCESS CONDITION
- 专利标题（中）：蚀刻系统和控制蚀刻工艺条件的方法
- 申请号：US13220084 申请日：2011-08-29
- 公开(公告)号：US20120055908A1 公开(公告)日：2012-03-08
- 发明人： Sang-Wuk Park , Geum-Jung Seong , Kye-Hyun Baek , Yong-Jin Kim , Chan-Mi Lee
- 申请人： Sang-Wuk Park , Geum-Jung Seong , Kye-Hyun Baek , Yong-Jin Kim , Chan-Mi Lee
- 申请人地址： KR Suwon-si
- 专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人地址： KR Suwon-si
- 优先权： KR10-2010-0087071 20100906
- 主分类号： B23K26/36
- IPC分类号： B23K26/36 ; B23K26/04
摘要：
Provided is an etching system and a method of controlling etching process condition. The etching system includes a light source that irradiates incident light into a target wafer, a light intensity measuring unit that measures light intensity according to the wavelength of interference light generated by interference between reflected light beams from the target wafer, a signal processor that detects a time point at which an extreme value in the intensity is generated when the intensity of interference light varies according to the wavelength, and a controller that compares the extreme value generating time point detected from the signal processor with a reference time point corresponding to the extreme value generating time point and controls a process condition according to the comparison result.
摘要（中）：
提供了蚀刻系统和控制蚀刻工艺条件的方法。 蚀刻系统包括将入射光照射到目标晶片中的光源，光强度测量单元，其根据由来自目标晶片的反射光之间的干涉产生的干涉光的波长来测量光强度;信号处理器，其检测 当干扰光的强度根据波长变化时产生强度极值的时间点，以及将从信号处理器检测的极值产生时间点与对应于极值的参考时间点进行比较的控制器 产生时间点，并根据比较结果控制过程条件。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| B | 作业；运输 |
| --B23 | 机床；不包含在其他类目中的金属加工 |
| ----B23K | 钎焊或脱焊；焊接；用钎焊或焊接方法包覆或镀敷；局部加热切割，如火焰切割；用激光束加工 |
| ------B23K26/00 | 用激光束加工，例如焊接，切割，打孔 |
| --------B23K26/36 | .除掉材料 |