发明申请
US20120032179A1 THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY DEVICE, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY DEVICE
有权
基本信息:
- 专利标题： THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY DEVICE, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY DEVICE
- 专利标题（中）：薄膜晶体管阵列器件，有机EL显示器件及制造薄膜晶体管阵列器件的方法
- 申请号：US13274491 申请日：2011-10-17
- 公开(公告)号：US20120032179A1 公开(公告)日：2012-02-09
- 发明人： Tohru SAITOH , Tomoya KATO
- 申请人： Tohru SAITOH , Tomoya KATO
- 申请人地址： JP Hyogo JP Osaka
- 专利权人： PANASONIC LIQUID CRYSTAL DISPLAY CO., LTD.,PANASONIC CORPORATION
- 当前专利权人： PANASONIC LIQUID CRYSTAL DISPLAY CO., LTD.,PANASONIC CORPORATION
- 当前专利权人地址： JP Hyogo JP Osaka
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/336
摘要：
A thin-film transistor array device includes: a driving TFT including a first crystalline semiconductor film including crystal grains having a first average grain size; and a switching TFT including a second crystalline semiconductor film including crystal grains having a second average grain size that is smaller than the first average grain size. The first crystalline semiconductor film and the second crystalline semiconductor film are formed at the same time by irradiating a noncrystalline semiconductor film using a laser beam having a Gaussian light intensity distribution such that a temperature of the noncrystalline semiconductor film is within a range of 600° C. to 1100° C., and the first crystalline semiconductor film is formed such that the temperature of the noncrystalline semiconductor film is within a temperature range of 1100° C. to 1414° C. due to latent heat generated by the laser irradiation.
摘要（中）：
薄膜晶体管阵列器件包括：驱动TFT，其包括具有第一平均晶粒尺寸的晶粒的第一晶体半导体膜; 以及包括具有比第一平均晶粒尺寸小的具有第二平均晶粒尺寸的晶粒的第二晶体半导体膜的开关TFT。 通过使用具有高斯光强度分布的激光束照射非晶半导体膜，使得非晶半导体膜的温度在600℃的范围内，同时形成第一晶体半导体膜和第二晶体半导体膜 形成第一结晶半导体膜，使得非晶半导体膜的温度由于激光照射产生的潜热而在1100℃至1414℃的温度范围内。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |