基本信息:
- 专利标题： CMOS IMAGE SENSOR WITH NOISE CANCELLATION
- 专利标题（中）：CMOS图像传感器与噪声消除
- 申请号：US13229804 申请日：2011-09-12
- 公开(公告)号：US20120008375A1 公开(公告)日：2012-01-12
- 发明人： Hiok Nam TAY
- 申请人： Hiok Nam TAY
- 申请人地址： SG Singapore
- 专利权人： CANDELA MICROSYSTEMS, INC.
- 当前专利权人： CANDELA MICROSYSTEMS, INC.
- 当前专利权人地址： SG Singapore
- 主分类号： G11C11/24
- IPC分类号： G11C11/24
摘要：
A memory comprises a two dimensional array of memory cells. Each memory cell comprises a first transistor, a second transistor and a capacitor. A multi-bit datum is stored as one of a plurality of voltage signal levels driven over a vertical input signal line and further across a source and a drain of the first transistor to be stored onto a gate of the second transistor. The first transistor is selected by a horizontal WR control line. The gate of the second transistor is connected to a first terminal of the capacitor. A second terminal of the capacitor is connected to a horizontal RD control line. The RD control line is driven to couple the second transistor to drive a signal onto a vertical output signal line during a read of the stored signal on the gate.
摘要（中）：
存储器包括存储器单元的二维阵列。 每个存储单元包括第一晶体管，第二晶体管和电容器。 多位数据被存储为在垂直输入信号线上驱动的多个电压信号电平之一，并且进一步跨越第一晶体管的源极和漏极被存储在第二晶体管的栅极上。 第一晶体管由水平WR控制线选择。 第二晶体管的栅极连接到电容器的第一端子。 电容器的第二端子连接到水平RD控制线。 驱动RD控制线以在读取门上存储的信号期间耦合第二晶体管以将信号驱动到垂直输出信号线上。
公开/授权文献:
- US08749681B2 CMOS image sensor with noise cancellation 公开/授权日：2014-06-10
IPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/19 | .在谐振电路中应用非线性电抗器件的 |
| ----G11C11/24 | ..应用电容器的 |