发明申请
US20120004090A1 DIELECTRIC CERAMIC, METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC CERAMIC, AND ELECTRONIC COMPONENT
有权
基本信息:
- 专利标题： DIELECTRIC CERAMIC, METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC CERAMIC, AND ELECTRONIC COMPONENT
- 专利标题（中）：电介质陶瓷，生产电介质陶瓷的方法和电子元件
- 申请号：US13168254 申请日：2011-06-24
- 公开(公告)号：US20120004090A1 公开(公告)日：2012-01-05
- 发明人： Toshio SAKURAI , Tomohiro ARASHI , Hisashi KOBUKE , Takahiro NAKANO , Tomoko NAKAMURA , Yasuharu MIYAUCHI
- 申请人： Toshio SAKURAI , Tomohiro ARASHI , Hisashi KOBUKE , Takahiro NAKANO , Tomoko NAKAMURA , Yasuharu MIYAUCHI
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： TDK CORPORATION
- 当前专利权人： TDK CORPORATION
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JP2010-150129 20100630; JP2010-150216 20100630
- 主分类号： C03C14/00
- IPC分类号： C03C14/00
摘要：
Provided is a dielectric ceramic that includes a main component which contains Mg2SiO4 and additives which contain a zinc oxide and a glass component, in which, in X-ray diffraction. The peak intensity ratio, IB/IA, of the X-ray diffraction peak intensity IB of zinc oxide remaining unreacted, for which 2θ is between 31.0° and 32.0° and between 33.0° and 34.0°, with respect to the peak intensity IA of Mg2SiO4 as the main phase, for which 2θ is between 36.0° and 37.0°, is 10% or less. The dielectric ceramic has a relative density of 96% or greater.
摘要（中）：
提供一种电介质陶瓷，其包含含有Mg 2 SiO 4的主要成分和含有氧化锌和玻璃成分的添加剂，其中，在X射线衍射中。 氧化锌的X射线衍射峰强度IB的峰强度比IB / IA保持未反应，其中2℃; 相对于作为主相的Mg2SiO4的峰强度IA，在31.0°和32.0°之间，在33.0°和34.0°之间，其中为2θ; 在36.0°和37.0°之间，为10％以下。 介电陶瓷的相对密度为96％以上。