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基本信息:
- 专利标题: APPARATUS FOR WET PROCESSING SUBSTRATE
- 专利标题(中):湿处理基板装置
- 申请号:US12913789 申请日:2010-10-28
- 公开(公告)号:US20110284162A1 公开(公告)日:2011-11-24
- 发明人: ZONG-QING CAI , TUNG-YAO KUO
- 申请人: ZONG-QING CAI , TUNG-YAO KUO
- 申请人地址: TW Tayuan CN Shenzhen City
- 专利权人: FOXCONN ADVANCED TECHNOLOGY INC.,FUKUI PRECISION COMPONENT (SHENZHEN) CO., LTD.
- 当前专利权人: FOXCONN ADVANCED TECHNOLOGY INC.,FUKUI PRECISION COMPONENT (SHENZHEN) CO., LTD.
- 当前专利权人地址: TW Tayuan CN Shenzhen City
- 优先权: CN201010178139.7 20100520
- 主分类号: H01L21/306
- IPC分类号: H01L21/306
摘要:
An exemplary apparatus for wet processing a substrate includes a conveyor configured for conveying the substrate along a conveying direction and parallel spray pipes. The spray pipes are substantially parallel with the conveyor and substantially perpendicular to the conveying direction. Each spray pipe consisting of at least one spray nozzle faces the conveyor, and the number of the at least one nozzle of each spray pipe increases along the conveying direction.
摘要(中):
用于湿处理基材的示例性装置包括:输送器,其构造成沿输送方向和平行的喷射管输送基板。 喷射管基本上平行于输送机并且基本上垂直于输送方向。 由至少一个喷嘴组成的每个喷管面向输送机,并且每个喷射管的至少一个喷嘴的数量沿输送方向增加。
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料 |
--------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的,例如腐蚀、抛光、切割 |
------------------H01L21/306 | ......化学或电处理,例如电解腐蚀 |