发明申请
US20110159213A1 CHEMICAL VAPOR DEPOSITION IMPROVEMENTS THROUGH RADICAL-COMPONENT MODIFICATION
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： CHEMICAL VAPOR DEPOSITION IMPROVEMENTS THROUGH RADICAL-COMPONENT MODIFICATION
- 专利标题（中）：化学蒸气沉积通过辐射成分修饰改进
- 申请号：US12905582 申请日：2010-10-15
- 公开(公告)号：US20110159213A1 公开(公告)日：2011-06-30
- 发明人： Xiuyu Cai , Yue Zhao , Abhijit Basu Mallick , Nitin K. Ingle , Shankar Venkataraman
- 申请人： Xiuyu Cai , Yue Zhao , Abhijit Basu Mallick , Nitin K. Ingle , Shankar Venkataraman
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Applied Materials, Inc.
- 当前专利权人： Applied Materials, Inc.
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 主分类号： C23C16/40
- IPC分类号： C23C16/40 ; C23C16/56 ; C23C16/455 ; C23C16/50
摘要：
A method of forming a silicon oxide layer is described. The method may include the steps of mixing a carbon-free silicon-containing precursor with a radical-nitrogen precursor, and depositing a silicon-and-nitrogen-containing layer on a substrate. The radical-nitrogen precursor is formed in a plasma by flowing ammonia and nitrogen (N2) and/or hydrogen (H2) into the plasma in order to allow adjustment of the nitrogen/hydrogen ratio. The silicon-and-nitrogen-containing layer may be converted to a silicon-and-oxygen-containing layer by curing and annealing the film.
摘要（中）：
描述形成氧化硅层的方法。 该方法可以包括以下步骤：将无碳的含硅前体与自由基 - 氮前体混合，并在基底上沉积含硅和氮的层。 通过将氨和氮（N 2）和/或氢（H 2）流入等离子体中以在等离子体中形成自由基 - 氮前体，以便调节氮/氢比。 通过固化和退火膜可以将含硅和氮的层转化为含硅和氧的层。