基本信息:
- 专利标题： CAPACITOR ELECTRODE, CAPACITOR STRUCTURE AND METHOD OF MAKING THE SAME
- 专利标题（中）：电容器电极，电容器结构及其制造方法
- 申请号：US12686399 申请日：2010-01-13
- 公开(公告)号：US20110090617A1 公开(公告)日：2011-04-21
- 发明人： Shin-Bin Huang , Chung-Lin Huang
- 申请人： Shin-Bin Huang , Chung-Lin Huang
- 优先权： TW098135095 20091016
- 主分类号： H01G4/005
- IPC分类号： H01G4/005 ; H01G4/00
摘要：
A method of fabricating a capacitor electrode. A stack structure is formed on a substrate, and the stack structure includes a first conductive layer, a first sacrificial layer, and a second sacrificial layer. The stack structure includes a first sidewall and a second sidewall facing the first sidewall. A conductive sidewall is formed on the first sidewall and the second sidewall to electrically connect the first conductive layer to the second conductive layer. Finally, the first and the second sacrificial layers are removed.
摘要（中）：
一种制造电容器电极的方法。 堆叠结构形成在衬底上，堆叠结构包括第一导电层，第一牺牲层和第二牺牲层。 堆叠结构包括第一侧壁和面向第一侧壁的第二侧壁。 导电侧壁形成在第一侧壁和第二侧壁上，以将第一导电层电连接到第二导电层。 最后，去除第一和第二牺牲层。