基本信息:
- 专利标题： COLD IMPLANT FOR OPTIMIZED SILICIDE FORMATION
- 专利标题（中）：用于优化硅化物形成的冷浸
- 申请号：US12850271 申请日：2010-08-04
- 公开(公告)号：US20110034014A1 公开(公告)日：2011-02-10
- 发明人： Christopher R. Hatem , Benjamin Colombeau , Thirumal Thanigaivelan , Kyu-Ha Shim , Jay T. Scheuer
- 申请人： Christopher R. Hatem , Benjamin Colombeau , Thirumal Thanigaivelan , Kyu-Ha Shim , Jay T. Scheuer
- 申请人地址： US MA Gloucester
- 专利权人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
- 当前专利权人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
- 当前专利权人地址： US MA Gloucester
- 主分类号： H01L21/265
- IPC分类号： H01L21/265 ; H01L21/425 ; H01L21/38
摘要：
A method of applying a silicide to a substrate while minimizing adverse effects, such as lateral diffusion of metal or “piping” is disclosed. The implantation of the source and drain regions of a semiconductor device are performed at cold temperatures, such as below 0° C. This cold implant reduces the structural damage caused by the impacting ions. Subsequently, a silicide layer is applied, and due to the reduced structural damage, metal diffusion and piping into the substrate is lessened. In some embodiments, an amorphization implant is performed after the implantation of dopants, but prior to the application of the silicide. By performing this pre-silicide implant at cold temperatures, similar results can be obtained.
摘要（中）：
公开了将金属或“管道”的横向扩散最小化等不利影响最小化的硅化物施加于基板的方法。 半导体器件的源极和漏极区域的注入在低于0℃的低温下进行。该冷植入物减少了由冲击离子引起的结构损伤。 随后，施加硅化物层，并且由于结构损伤减小，金属扩散和管道进入衬底被减少。 在一些实施方案中，在植入掺杂剂之后但在施加硅化物之前进行非晶化注入。 通过在寒冷的温度下进行这种预硅化物种植体，可获得类似的结果。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/263 | .....带有高能辐射的 |
| ------------------H01L21/265 | ......产生离子注入的 |