发明申请
US20100093185A1 METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM, PLASMA PROCESSING APPARATUS AND STORAGE MEDIUM
失效
基本信息:
- 专利标题： METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM, PLASMA PROCESSING APPARATUS AND STORAGE MEDIUM
- 专利标题（中）：形成硅氧烷膜，等离子体加工设备和储存介质的方法
- 申请号：US12443044 申请日：2007-09-28
- 公开(公告)号：US20100093185A1 公开(公告)日：2010-04-15
- 发明人： Yoshiro Kabe , Takashi Kobayashi , Toshihiko Shiozawa , Junichi Kitagawa
- 申请人： Yoshiro Kabe , Takashi Kobayashi , Toshihiko Shiozawa , Junichi Kitagawa
- 申请人地址： JP TOKYO
- 专利权人： TOKYO ELECTRON LIMITED
- 当前专利权人： TOKYO ELECTRON LIMITED
- 当前专利权人地址： JP TOKYO
- 优先权： JP2006-267742 20060929
- 国际申请： PCT/JP2007/069041 WO 20070928
- 主分类号： H01L21/316
- IPC分类号： H01L21/316 ; C23C16/513 ; C23C16/52
摘要：
The present invention provides a method for forming a silicon oxide film, with a substantially uniform film thickness and without being so influenced by dense sites and scattered sites in a pattern provided on an object to be processed, while keeping advantageous points of a plasma oxidation process performed under a lower-pressure and lower-oxygen-concentration condition. In this method, plasma of a processing gas is applied to a surface of the object having a concavo-convex pattern, in a processing chamber of a plasma processing apparatus, so as to oxidize silicon on the surface of the object, thereby forming the silicon oxide film. The plasma is generated under the condition that a ratio of oxygen in the processing gas is within a range of 0.1% to 10% and pressure is within a range of 0.133 Pa to 133.3 Pa. This plasma oxidation process is performed, with a plate, having a plurality of through-holes formed therein, being provided between a region for generating the plasma in the processing chamber and the object to be processed.
摘要（中）：
本发明提供一种形成氧化硅膜的方法，其具有基本上均匀的膜厚度，并且不受等离子体氧化工艺的优点的保证，在受加工物体上设置的图案中的致密部位和散射部位的影响 在低压和低氧浓度条件下进行。 在该方法中，在等离子体处理装置的处理室中，将处理气体的等离子体施加到具有凹凸图案的物体的表面，以氧化物体表面上的硅，从而形成硅 氧化膜。 在处理气体中的氧的比例在0.1〜10％的范围内且压力在0.133Pa〜133.3Pa的范围内的条件下产生等离子体，用等离子体氧化法， 具有形成在其中的多个通孔，设置在处理室中用于产生等离子体的区域和待处理物体之间。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/314 | ......无机层 |
| --------------------H01L21/316 | .......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层 |