发明申请
US20100055851A1 PHOTORESIST COMPOSTION, METHOD FOR FORMING THIN FILM PATTERNS, AND METHOD FOR MANUFACTURING A THIN FILM TRANSISTOR USING THE SAME
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： PHOTORESIST COMPOSTION, METHOD FOR FORMING THIN FILM PATTERNS, AND METHOD FOR MANUFACTURING A THIN FILM TRANSISTOR USING THE SAME
- 专利标题（中）：光电组合物，形成薄膜图案的方法，以及使用其制造薄膜晶体管的方法
- 申请号：US12389031 申请日：2009-02-19
- 公开(公告)号：US20100055851A1 公开(公告)日：2010-03-04
- 发明人： Hi-Kuk Lee , Sang-Hyun Yun , Jung-In Park , Woo-Seok Jeon , Pil-Soon Hong , Doek-Man Kang , Sae-Tae Oh , Chang-Ik Lee
- 申请人： Hi-Kuk Lee , Sang-Hyun Yun , Jung-In Park , Woo-Seok Jeon , Pil-Soon Hong , Doek-Man Kang , Sae-Tae Oh , Chang-Ik Lee
- 申请人地址： KR Suwon-si JP Tokyo
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.,AZ Electronic Materials (Japan) K.K.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.,AZ Electronic Materials (Japan) K.K.
- 当前专利权人地址： KR Suwon-si JP Tokyo
- 优先权： KR10-2008-0085861 20080901
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; C08F118/16 ; G03F7/00
摘要：
The present invention relates to a photoresist composition that comprises a resin that is represented by Formula 1, a method for forming a thin film pattern, and a method for manufacturing a thin film transistor array panel by using the same. Herein, R is a methylene group, and n is an integer of 1 or more.
摘要（中）：
本发明涉及一种光致抗蚀剂组合物，其包含由式1表示的树脂，薄膜图案的形成方法以及使用该薄膜晶体管阵列板的方法。 这里，R为亚甲基，n为1以上的整数。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |