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基本信息:
- 专利标题: METHODS FOR FORMING DOPED REGIONS IN A SEMICONDUCTOR MATERIAL
- 专利标题(中):在半导体材料中形成掺杂区域的方法
- 申请号:US12186999 申请日:2008-08-06
- 公开(公告)号:US20100035422A1 公开(公告)日:2010-02-11
- 发明人: Roger Yu-Kwan Leung , De-Ling Zhou , Wenya Fan
- 申请人: Roger Yu-Kwan Leung , De-Ling Zhou , Wenya Fan
- 申请人地址: US NJ Morristown
- 专利权人: HONEYWELL INTERNATIONAL, INC.
- 当前专利权人: HONEYWELL INTERNATIONAL, INC.
- 当前专利权人地址: US NJ Morristown
- 主分类号: H01L21/22
- IPC分类号: H01L21/22
摘要:
Methods for forming doped regions in a semiconductor material that minimize or eliminate vapor diffusion of a dopant element and/or dopant from a deposited dopant and/or into a semiconductor material and methods for fabricating semiconductor devices that minimize or eliminate vapor diffusion of a dopant element and/or dopant from a deposited dopant and/or into a semiconductor material are provided. In one exemplary embodiment, a method for forming doped regions in a semiconductor material comprises depositing a conductivity-determining type dopant comprising a dopant element overlying a first portion of the semiconductor material. A diffusion barrier material is applied such that it overlies a second portion of the semiconductor material. The dopant element of the conductivity-determining type dopant is diffused into the first portion of the semiconductor material.
摘要(中):
在掺杂剂元素和/或掺杂剂从沉积的掺杂剂和/或半导体材料中最小化或消除蒸汽扩散的半导体材料中形成掺杂区域的方法以及用于制造半导体器件的方法,该半导体器件最小化或消除掺杂元素的蒸气扩散 和/或来自沉积的掺杂剂和/或半导体材料的掺杂剂。 在一个示例性实施例中,用于在半导体材料中形成掺杂区域的方法包括沉积包含覆盖半导体材料的第一部分的掺杂剂元素的导电率确定型掺杂剂。 施加扩散阻挡材料,使其覆盖半导体材料的第二部分。 导电性确定型掺杂剂的掺杂剂元素扩散到半导体材料的第一部分。
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料 |
--------------H01L21/22 | ....杂质材料的扩散,例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料,电极材料;杂质材料的再分配,例如,不引入或去除过多的掺杂剂 |