基本信息:
- 专利标题： FERROELECTRIC MEMORY USING MULTIFERROICS
- 专利标题（中）：使用多媒体的电磁记忆
- 申请号：US12144697 申请日：2008-06-24
- 公开(公告)号：US20090315088A1 公开(公告)日：2009-12-24
- 发明人： Haiwen Xi , Wei Tian , Yang Li , Insik Jin , Song S. Xue
- 申请人： Haiwen Xi , Wei Tian , Yang Li , Insik Jin , Song S. Xue
- 申请人地址： US CA Scotts Valley
- 专利权人： SEAGATE TECHNOLOGY LLC
- 当前专利权人： SEAGATE TECHNOLOGY LLC
- 当前专利权人地址： US CA Scotts Valley
- 主分类号： H01L29/00
- IPC分类号： H01L29/00
摘要：
Ferroelectric memory using multiferroics is described. The multiferrroic memory includes a substrate having a source region, a drain region and a channel region separating the source region and the drain region. An electrically insulating layer is adjacent to the source region, drain region and channel region. A data storage cell having a composite multiferroic layer is adjacent to the electrically insulating layer. The electrically insulating layer separated the data storage cell form the channel region. A control gate electrode is adjacent to the data storage cell. The data storage cell separates at least a portion of the control gate electrode from the electrically insulating layer.
摘要（中）：
描述了使用多铁性的铁电存储器。 多层存储器包括具有源极区，漏极区和分离源极区和漏极区的沟道区的衬底。 电绝缘层与源极区，漏极区和沟道区相邻。 具有复合多铁层的数据存储单元与电绝缘层相邻。 电绝缘层从通道区域分离数据存储单元。 控制栅电极与数据存储单元相邻。 数据存储单元将控制栅电极的至少一部分与电绝缘层分离。
公开/授权文献:
- US07700985B2 Ferroelectric memory using multiferroics 公开/授权日：2010-04-20