基本信息:
- 专利标题： FABRICATING PROCESS OF STRUCTURE WITH EMBEDDED CIRCUIT
- 专利标题（中）：嵌入式电路结构的制作工艺
- 申请号：US12211637 申请日：2008-09-16
- 公开(公告)号：US20090301997A1 公开(公告)日：2009-12-10
- 发明人： Yi-Chun Liu
- 申请人： Yi-Chun Liu
- 申请人地址： TW Taoyuan
- 专利权人： UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
- 当前专利权人： UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
- 当前专利权人地址： TW Taoyuan
- 优先权： TW97120997 20080605
- 主分类号： H01B13/00
- IPC分类号： H01B13/00
摘要：
A fabricating process of a structure with an embedded circuit is described as follows. Firstly, a substrate having an upper surface and a lower surface opposite to the upper surface is provided. Afterward, a dielectric layer is formed on the upper surface of the substrate. Next, a plating-resistant layer is formed on the dielectric layer. Then, the plating-resistant layer and the dielectric layer are patterned for forming an recess pattern on the dielectric layer. Subsequently, a conductive base layer is formed in the recess pattern by using a chemical method, and the plating-resistant layer is exposed by the conductive base layer. After that, the plating-resistant layer is removed.
摘要（中）：
具有嵌入电路的结构的制造工艺描述如下。 首先，提供具有与上表面相对的上表面和下表面的基板。 之后，在基板的上表面形成电介质层。 接下来，在电介质层上形成耐电镀层。 然后，对电镀层和电介质层进行图案化以在电介质层上形成凹陷图案。 随后，通过使用化学方法在凹陷图案中形成导电性基底层，并且通过导电性基底层露出耐电镀层。 之后，除去耐电镀层。
公开/授权文献:
- US08187478B2 Fabricating process of structure with embedded circuit 公开/授权日：2012-05-29
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01B | 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择 |
| ------H01B13/00 | 制造导体或电缆制造的专用设备或方法 |