基本信息:
- 专利标题： PLASMA OXIDATION METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
- 专利标题（中）：等离子体氧化方法和制造半导体器件的方法
- 申请号：US12281046 申请日：2007-02-27
- 公开(公告)号：US20090047778A1 公开(公告)日：2009-02-19
- 发明人： Masaru Sasaki
- 申请人： Masaru Sasaki
- 申请人地址： JP Minato-ku
- 专利权人： TOKYO ELECTRON LIMITED
- 当前专利权人： TOKYO ELECTRON LIMITED
- 当前专利权人地址： JP Minato-ku
- 优先权： JP2006-052014 20060228
- 国际申请： PCT/JP2007/053561 WO 20070227
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L21/44 ; C23C16/511 ; H01L21/316
摘要：
A plasma oxidation processing method is performed, on a structural object including a silicon layer and a refractory metal-containing layer, to form a silicon oxide film. A first plasma oxidation process is performed by use of a process gas including at least hydrogen gas and oxygen gas and a process pressure of 1.33 to 66.67 Pa. A second plasma oxidation process is performed by use of a process gas including at least hydrogen gas and oxygen gas and a process pressure of 133.3 to 1,333 Pa, after the first plasma oxidation process.
摘要（中）：
在包括硅层和含难熔金属层的结构物体上进行等离子体氧化处理方法以形成氧化硅膜。 通过使用至少包含氢气和氧气的工艺气体和1.33〜66.67Pa的工艺压力进行第一等离子体氧化工艺。使用至少包括氢气和 氧气，工艺压力为133.3〜1333Pa，经过等离子体氧化处理。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |