基本信息:
- 专利标题： METHOD OF REMOVING INSULATING LAYER ON SUBSTRATE
- 专利标题（中）：在基板上去除绝缘层的方法
- 申请号：US11736006 申请日：2007-04-17
- 公开(公告)号：US20080261402A1 公开(公告)日：2008-10-23
- 发明人： Chan Lu , Teng-Chun Tsai , Chih-Yueh Li , Kai-Gin Yang , Chien-Chung Huang , Chia-Hsi Chen , Tzu-Hui Wu
- 申请人： Chan Lu , Teng-Chun Tsai , Chih-Yueh Li , Kai-Gin Yang , Chien-Chung Huang , Chia-Hsi Chen , Tzu-Hui Wu
- 申请人地址： TW Hsinchu
- 专利权人： UNITED MICROELECTRONICS CORP.
- 当前专利权人： UNITED MICROELECTRONICS CORP.
- 当前专利权人地址： TW Hsinchu
- 主分类号： H01L21/302
- IPC分类号： H01L21/302
摘要：
A method of removing an insulating layer on a substrate is described, including a first CMP process and a second CMP process performed in sequence, wherein the polishing slurry used in the first CMP process and that used in the second CMP process have substantially the same pH value that exceeds 7.0. A cleaning step is conducted between the first and the second CMP processes to remove a specific substance which would otherwise cause undesired particles to form in the second CMP process.
摘要（中）：
描述了去除衬底上的绝缘层的方法，包括依次执行的第一CMP工艺和第二CMP工艺，其中在第一CMP工艺中使用的抛光浆料和在第二CMP工艺中使用的抛光浆料具有基本上相同的pH 价值超过7.0。 在第一和第二CMP工艺之间进行清洁步骤以除去否则会在第二CMP工艺中导致不期望的颗粒形成的特定物质。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |