基本信息:
- 专利标题： PROBE FOR TESTING SEMICONDUCTOR DEVICES
- 专利标题（中）：用于测试半导体器件的探针
- 申请号：US12042295 申请日：2008-03-04
- 公开(公告)号：US20080252328A1 公开(公告)日：2008-10-16
- 发明人： Zhiyong An , Melvin Khoo , Nim Tea , Ting Hu
- 申请人： Zhiyong An , Melvin Khoo , Nim Tea , Ting Hu
- 申请人地址： US CA Baldwin Park
- 专利权人： TOUCHDOWN TECHNOLOGIES, INC.
- 当前专利权人： TOUCHDOWN TECHNOLOGIES, INC.
- 当前专利权人地址： US CA Baldwin Park
- 主分类号： G01R1/067
- IPC分类号： G01R1/067
摘要：
A novel probe design is presented that increases a probe tolerance to stress fractures. Specifically, what is disclosed are three features increase stress tolerance. These features include a various union angle interface edge shapes, pivot cutouts and buffers.
摘要（中）：
提出了一种新的探针设计，增加了对应力骨折的探针耐受性。 具体来说，公开的是增加压力容忍度的三个特征。 这些特征包括各种联合角度界面边缘形状，枢轴切口和缓冲区。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01R | 测量电变量；测量磁变量（通过转换成电变量对任何种类的物理变量进行测量参见G01类名下的 |
| ------G01R1/00 | 包含在G01R5/00至G01R13/00和G01R31/00组中的各类仪器或装置的零部件 |
| --------G01R1/02 | .一般结构零部件 |
| ----------G01R1/06 | ..测量引线；测量探针 |
| ------------G01R1/067 | ...测量探针 |