基本信息:
- 专利标题： LARGE TUNING RANGE JUNCTION VARACTOR
- 专利标题（中）：大型调谐范围变送器
- 申请号：US11696732 申请日：2007-04-05
- 公开(公告)号：US20080246119A1 公开(公告)日：2008-10-09
- 发明人： Manju SARKAR , Purakh Raj Verma
- 申请人： Manju SARKAR , Purakh Raj Verma
- 申请人地址： SG Singapore
- 专利权人： Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd.
- 当前专利权人： Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd.
- 当前专利权人地址： SG Singapore
- 主分类号： H01L29/93
- IPC分类号： H01L29/93 ; H01L21/20
摘要：
Large tuning range junction varactor includes first and second junction capacitors coupled in parallel between first and second varactor terminals. First and second plates of the capacitors are formed by three alternating doped regions in a substrate. The first and third doped regions are of the same type sandwiching the second doped region of the second type. A first input terminal is coupled to the first and third doped regions and a second terminal is coupled to the second doped region. At the interfaces of the doped regions are first and second depletion regions whose width can be varied by varying the voltage across the terminals from zero to full reverse bias.
摘要（中）：
大型调谐范围结变容二极管包括并联在第一和第二变容二极管端子之间的第一和第二结电容器。 电容器的第一和第二板由衬底中的三个交替掺杂区域形成。 第一和第三掺杂区域具有夹着第二类型的第二掺杂区域的相同类型。 第一输入端子耦合到第一和第三掺杂区域，第二端子耦合到第二掺杂区域。 在掺杂区域的界面处是第一和第二耗尽区域，其宽度可以通过将端子间的电压从零改变为全反向偏压来改变。
公开/授权文献:
- US08450832B2 Large tuning range junction varactor 公开/授权日：2013-05-28
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/86 | ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的 |
| ------------H01L29/861 | ...二极管 |
| --------------H01L29/93 | ....电容量可变的二极管，例如变容二极管 |