发明申请
US20080211039A1 Nonvolatile memory devices having metal silicide nanocrystals, methods of forming metal silicide nanocrystals, and methods of forming nonvolatile memory devices having metal silicide nanocrystals
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： Nonvolatile memory devices having metal silicide nanocrystals, methods of forming metal silicide nanocrystals, and methods of forming nonvolatile memory devices having metal silicide nanocrystals
- 专利标题（中）：具有金属硅化物纳米晶体的非易失性存储器件，形成金属硅化物纳米晶体的方法以及形成具有金属硅化物纳米晶体的非易失性存储器件的方法
- 申请号：US11999704 申请日：2007-12-06
- 公开(公告)号：US20080211039A1 公开(公告)日：2008-09-04
- 发明人： Xiaofeng Wang , Eun-Ji Jung , In-Seok Yeo
- 申请人： Xiaofeng Wang , Eun-Ji Jung , In-Seok Yeo
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 优先权： KR10-2006-0124069 20061207
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/44
摘要：
A nonvolatile memory device includes a semiconductor substrate. A charge storage insulating film containing metal silicide nanocrystals is on the substrate. A gate electrode is on the charge storage insulating film. Related methods of forming metal silicide nanocrystals, and methods of forming nonvolatile memory devices including metal silicide nanocrystals, are also disclosed.
摘要（中）：
非易失性存储器件包括半导体衬底。 含有金属硅化物纳米晶体的电荷存储绝缘膜位于基板上。 栅电极位于电荷存储绝缘膜上。 还公开了形成金属硅化物纳米晶体的相关方法，以及形成包括金属硅化物纳米晶体的非易失性存储器件的方法。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |