发明申请
US20080199976A1 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FERROELECTRIC CAPACITOR
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FERROELECTRIC CAPACITOR
- 专利标题（中）：制造包含电容器的半导体器件的方法
- 申请号：US12035066 申请日：2008-02-21
- 公开(公告)号：US20080199976A1 公开(公告)日：2008-08-21
- 发明人： Takahiro YAMAGATA , Kouichi NAGAI , Junichi WATANABE
- 申请人： Takahiro YAMAGATA , Kouichi NAGAI , Junichi WATANABE
- 申请人地址： JP Kawasaki-shi
- 专利权人： FUJITSU LIMITED
- 当前专利权人： FUJITSU LIMITED
- 当前专利权人地址： JP Kawasaki-shi
- 优先权： JP2007-040351 20070221
- 主分类号： H01L21/8239
- IPC分类号： H01L21/8239
摘要：
A semiconductor device manufacturing method has a step forming a transistor layer portion on a semiconductor substrate, and a step forming a ferroelectric capacitor portion including a lower electrode, a ferroelectric substance and an upper electrode above the transistor layer portion, wherein the step forming the ferroelectric capacitor portion includes adjusting an area of the upper electrode on the basis of manufacturing parameters of the ferroelectric capacitor portion.
摘要（中）：
半导体器件制造方法具有在半导体衬底上形成晶体管层部分的步骤，以及在晶体管层部分上方形成包括下电极，铁电体物质和上电极的铁电电容器部分的步骤，其中形成铁电体 电容器部分包括基于强电介质电容器部分的制造参数调整上电极的面积。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |
| ----------------------H01L21/8239 | ........存储器结构 |