基本信息:
- 专利标题： PHOTORESIST COMPOSITIONS AND METHODS OF FORMING A PATTERN USING THE SAME
- 专利标题（中）：光刻胶组合物和形成使用该图案的图案的方法
- 申请号：US11869933 申请日：2007-10-10
- 公开(公告)号：US20080160448A1 公开(公告)日：2008-07-03
- 发明人： Hyo-Jin Yun , Young-Gil Kwon , Do-Young Kim , Jae-Ho Kim , Young-Ho Kim , Boo-Deuk Kim
- 申请人： Hyo-Jin Yun , Young-Gil Kwon , Do-Young Kim , Jae-Ho Kim , Young-Ho Kim , Boo-Deuk Kim
- 申请人地址： KR Suwon-si
- 专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人地址： KR Suwon-si
- 优先权： KR2006-99014 20061011
- 主分类号： G03F7/004
- IPC分类号： G03F7/004 ; G03F7/26
摘要：
In a photoresist composition and a method of forming a pattern using the same, the photoresist composition includes about 0.1 to about 0.5 percent by weight of a photoacid generator including a positively charged sulfonium ion and a negatively charged sulfonate ion having a hydrophilic carboxylic group, about 4 to about 10 percent by weight of a resin, and a solvent.
摘要（中）：
在光致抗蚀剂组合物和使用其形成图案的方法中，光致抗蚀剂组合物包含约0.1至约0.5重量％的包含带正电荷的锍离子的光酸产生剂和具有亲水性羧基的带负电荷的磺酸根离子，约为 4至约10重量％的树脂和溶剂。