发明申请
US20080075880A1 Non-doping implantation process utilizing a plasma ion implantation system
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： Non-doping implantation process utilizing a plasma ion implantation system
- 专利标题（中）：利用等离子体离子注入系统的非掺杂注入工艺
- 申请号：US11527158 申请日：2006-09-26
- 公开(公告)号：US20080075880A1 公开(公告)日：2008-03-27
- 发明人： Anthony Renau , Vikram Singh
- 申请人： Anthony Renau , Vikram Singh
- 主分类号： C23C14/00
- IPC分类号： C23C14/00
摘要：
Non-doping implantation process utilizing a plasma ion implantation system. A plasma ion implantation system is used to perform a non-doping implantation process such as a pre-amorphization implantation process or a strain altering implantation. Use of the plasma ion implantation system to perform a non-doping implantation process results in higher throughput and is conducive to sequential ion implantation processing.
摘要（中）：
利用等离子体离子注入系统的非掺杂注入工艺。 等离子体离子注入系统用于执行非掺杂注入工艺，例如预非晶化注入工艺或应变改变注入。 使用等离子体离子注入系统执行非掺杂注入工艺导致更高的生产量并且有助于顺序离子注入处理。