基本信息:
- 专利标题： Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same
- 专利标题（中）：半导体发光器件及其制造方法
- 申请号：US11492130 申请日：2006-07-25
- 公开(公告)号：US20070023763A1 公开(公告)日：2007-02-01
- 发明人： Shinichi Takigawa , Daisuke Ueda , Susumu Koike
- 申请人： Shinichi Takigawa , Daisuke Ueda , Susumu Koike
- 优先权： JP2005-217874 20050727
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00
摘要：
A semiconductor light-emitting device includes a light-emitting layer and a light extraction layer formed on the light-emitting layer and made of a resin material containing particles. The maximum size of each of the particles contained in the light extraction layer is smaller than the wavelength of emitted light penetrating through the light extraction layer.
摘要（中）：
半导体发光器件包括发光层和形成在发光层上并由含有颗粒的树脂材料制成的光提取层。 包含在光提取层中的每个颗粒的最大尺寸小于穿过光提取层的发射光的波长。