基本信息:
- 专利标题： Photonic crystal semiconductor device and production method thereof
- 专利标题（中）：光子晶体半导体器件及其制造方法
- 申请号：US11505428 申请日：2006-08-17
- 公开(公告)号：US20070013991A1 公开(公告)日：2007-01-18
- 发明人： Tomofumi Kise , Tatsuya Kimoto , Noriyuki Yokouchi , Toshihiko Baba
- 申请人： Tomofumi Kise , Tatsuya Kimoto , Noriyuki Yokouchi , Toshihiko Baba
- 申请人地址： JP Tokyo JP Tokyo
- 专利权人： TOSHIHIKO BABA,The Furukawa Electric Co, Ltd.
- 当前专利权人： TOSHIHIKO BABA,The Furukawa Electric Co, Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo JP Tokyo
- 优先权： JP2004-040122 20040217
- 主分类号： G02B26/00
- IPC分类号： G02B26/00 ; G02F1/03 ; G02F1/00 ; G02F1/07
摘要：
To provide a photonic crystal semiconductor device which enables various kinds of optical devices having a photonic crystal structure which is readily formed using a semiconductor and a semiconductor manufacturing process, and a manufacturing method thereof. The object can be achieved by a photonic crystal structure, including a lower DBR layer 1, a core layer 2, an upper DBR layer 3, and a dielectric multilayer film 6 which are sequentially laminated from an n-InP substrate 11 side, a plurality of holes 9 formed in the direction of a film thickness in the core layer 2 and the upper DBR layer 3, and a line defect portion 10 with none of the plurality of holes formed therein and disposed between the plurality of holes 9, wherein the line defect portion 10 serves as an optical waveguide.
摘要（中）：
本发明提供一种光子晶体半导体器件及其制造方法，该光子晶体半导体器件能够实现使用半导体和半导体制造工艺容易地形成的具有光子晶体结构的各种光学器件。 该目的可以通过光子晶体结构实现，其包括从n-InP衬底11侧依次层叠的下DBR层1，芯层2，上DBR层3和电介质多层膜6，多个 形成在芯层2和上DBR层3中的膜厚度方向上的孔9以及在其中形成有多个孔并且设置在多个孔9之间的线缺陷部10，其中线 缺陷部分10用作光波导。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G02 | 光学 |
| ----G02B | 光学元件、系统或仪器 |
| ------G02B26/00 | 利用可移动的或可变形的光学元件控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的光学器件或装置，例如，开关、选通、调制 |