发明申请
US20070001298A1 Semiconductor device with built-in capacitor, and method of producing the same
有权
基本信息:
- 专利标题： Semiconductor device with built-in capacitor, and method of producing the same
- 专利标题（中）：具有内置电容器的半导体器件及其制造方法
- 申请号：US11508289 申请日：2006-08-23
- 公开(公告)号：US20070001298A1 公开(公告)日：2007-01-04
- 发明人： Kaname Ozawa , Mitsutaka Sato , Yoshiyuki Yoneda
- 申请人： Kaname Ozawa , Mitsutaka Sato , Yoshiyuki Yoneda
- 申请人地址： JP Kawasaki 211-8588
- 专利权人： FUJITSU LIMITED
- 当前专利权人： FUJITSU LIMITED
- 当前专利权人地址： JP Kawasaki 211-8588
- 主分类号： H01L23/34
- IPC分类号： H01L23/34
摘要：
A semiconductor device of the invention includes a substrate in which a power-supply electrode and a ground electrode are provided. A first semiconductor chip is disposed over the substrate and has a first conductor layer formed on a surface facing a second semiconductor chip. A second conductor layer is disposed over the first semiconductor chip and has a second conductor layer formed on a surface facing the first semiconductor chip. And an adhesive layer is disposed between the first conductor layer and the second conductor layer and bonds together the first semiconductor chip and the second semiconductor chip. In the semiconductor device, the adhesive layer and the first and second conductor layers function as a capacitor.
摘要（中）：
本发明的半导体器件包括其中设置有电源电极和接地电极的基板。 第一半导体芯片设置在衬底上并且具有形成在面向第二半导体芯片的表面上的第一导体层。 第二导体层设置在第一半导体芯片的上方，并且具有形成在面向第一半导体芯片的表面上的第二导体层。 并且粘合剂层设置在第一导体层和第二导体层之间并且将第一半导体芯片和第二半导体芯片接合在一起。 在半导体器件中，粘合剂层和第一和第二导体层用作电容器。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |