基本信息:
- 专利标题： Semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体器件
- 申请号：US11455631 申请日：2006-06-20
- 公开(公告)号：US20060289894A1 公开(公告)日：2006-12-28
- 发明人： Tomohiro Murata , Yutaka Hirose , Yoshito Ikeda , Tsuyoshi Tanaka , Kaoru Inoue , Daisuke Ueda , Yasuhiro Uemoto
- 申请人： Tomohiro Murata , Yutaka Hirose , Yoshito Ikeda , Tsuyoshi Tanaka , Kaoru Inoue , Daisuke Ueda , Yasuhiro Uemoto
- 申请人地址： JP Osaka
- 专利权人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
- 当前专利权人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
- 当前专利权人地址： JP Osaka
- 优先权： JP2003-136980 20030515
- 主分类号： H01L31/00
- IPC分类号： H01L31/00
摘要：
A semiconductor device has: a buffer layer formed on a conductive substrate and made of AlxGa1−xN with a high resistance; an element-forming layer formed on the buffer layer, having a channel layer, and made of undoped GaN and N-type AlyGa1−N; and a source electrode, a drain electrode and a gate electrode which are selectively formed on the element-forming layer. The source electrode is filled in a through hole provided in the buffer layer and the element-forming layer, and is thus electrically connected to the conductive substrate.
摘要（中）：
半导体器件具有：形成在导电衬底上并具有高电阻的Al x Ga 1-x N的缓冲层; 形成在缓冲层上的元件形成层，具有沟道层，并由未掺杂的GaN和N型Al x Ga 1 -N构成; 以及选择性地形成在元件形成层上的源电极，漏电极和栅电极。 源电极被填充在设置在缓冲层和元件形成层中的通孔中，因此电连接到导电基板。