基本信息:
- 专利标题： Copolymer for semiconductor lithography and process for production thereof
- 专利标题（中）：半导体光刻用共聚物及其制造方法
- 申请号：US11430738 申请日：2006-05-09
- 公开(公告)号：US20060257784A1 公开(公告)日：2006-11-16
- 发明人： Takanori Yamagishi , Tomo Oikawa , Masaaki Muroi , Kota Atsuchi , Takahiro Nakamura , Masakazu Yamada , Kensuke Saisyo , Masaru Takeshita
- 申请人： Takanori Yamagishi , Tomo Oikawa , Masaaki Muroi , Kota Atsuchi , Takahiro Nakamura , Masakazu Yamada , Kensuke Saisyo , Masaru Takeshita
- 优先权： JP137557/2005 20050510
- 主分类号： G03C1/00
- IPC分类号： G03C1/00
摘要：
A copolymer for semiconductor lithography, comprising at least a recurring unit (A) having a carboxylic acid ester structure whose solubility in alkali increases by the action of an acid and a carboxyl group-containing recurring unit (B), which copolymer is obtained via a step (P) of (co)polymerizing at least a monomer giving a recurring unit (A) and a step (Q) of forming a recurring unit (B) in the co-presence of a recurring unit (A)-containing (co)polymer and/or a monomer giving a recurring unit (A), and an acid. The copolymer is used in production of semiconductor as a resist polymer which is small in roughness, little in development defect and superior in lithography properties such as DOF and the like.
摘要（中）：
一种用于半导体光刻的共聚物，其至少包含具有羧酸酯结构的重复单元（A），其通过酸和含羧基的重复单元（B）的作用而在碱中的溶解度增加，该共聚物经由 （共）聚合至少一种产生重复单元的单体（A）的步骤（P）和形成重复单元（B）的步骤（Q），在含有重复单元（A）的（共） ）聚合物和/或提供重复单元（A）的单体和酸。 该共聚物用于生产半导体，作为抗蚀剂聚合物，其粗糙度小，显影缺陷少，并且光刻性能如DOF等优异。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G03 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术 |
| ----G03C | 照相用的感光材料（照相制版用的入G03F）；照相过程，例如，电影、X射线、彩色、立体照相过程；照相的辅助过程 |
| ------G03C1/00 | 感光材料 |