发明申请
US20060240181A1 SPIN-ON PROTECTIVE COATINGS FOR WET-ETCH PROCESSING OF MICROELECTRONIC SUBSTRATES
有权

基本信息:
- 专利标题: SPIN-ON PROTECTIVE COATINGS FOR WET-ETCH PROCESSING OF MICROELECTRONIC SUBSTRATES
- 专利标题(中):用于微电子基板湿蚀刻加工的旋转保护涂层
- 申请号:US11428123 申请日:2006-06-30
- 公开(公告)号:US20060240181A1 公开(公告)日:2006-10-26
- 发明人: Chenghong Li , Kimberly Ruben , Tony Flaim
- 申请人: Chenghong Li , Kimberly Ruben , Tony Flaim
- 主分类号: B05D5/12
- IPC分类号: B05D5/12 ; B32B27/30 ; B05D3/02 ; B05D1/36
摘要:
New protective coating layers for use in wet etch processes during the production of semiconductor and MEMS devices are provided. The layers include a primer layer, a first protective layer, and an optional second protective layer. The primer layer preferably comprises an organo silane compound in a solvent system. The first protective layer includes thermoplastic copolymers prepared from styrene, acrylonitrile, and optionally other addition-polymerizable monomers such as (meth)acrylate monomers, vinylbenzyl chloride, and diesters of maleic acid or fumaric acid. The second protective layer comprises a highly halogenated polymer such as a chlorinated polymer which may or may not be crosslinked upon heating.
摘要(中):
提供了在制造半导体和MEMS器件期间用于湿蚀刻工艺的新的保护涂层。 这些层包括底漆层,第一保护层和任选的第二保护层。 底漆层优选在溶剂体系中包含有机硅烷化合物。 第一保护层包括由苯乙烯,丙烯腈和任选的其它加成聚合单体如(甲基)丙烯酸酯单体,乙烯基苄基氯和马来酸或富马酸的二酯制备的热塑性共聚物。 第二保护层包括高度卤化的聚合物,例如氯化聚合物,其在加热时可以或不会交联。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
B | 作业;运输 |
--B05 | 一般喷射或雾化;对表面涂覆液体或其他流体的一般方法 |
----B05D | 一般对表面涂布液体或其他流体的工艺 |
------B05D5/00 | 对表面涂布液体或其他流体以获得特殊表面效果,光洁度或结构的工艺 |
--------B05D5/12 | .获得具有特殊电性能的涂层 |