基本信息:
- 专利标题： Thin film transistor substrate and method for forming metal wire thereof
- 专利标题（中）：薄膜晶体管基板及其金属线形成方法
- 申请号：US10539223 申请日：2003-03-26
- 公开(公告)号：US20060163582A1 公开(公告)日：2006-07-27
- 发明人： Jae-Gab Lee , Chang-Oh Jeong , Myung-Mo Sung , Hee-Jung Yang , Beom-Seok Cho
- 申请人： Jae-Gab Lee , Chang-Oh Jeong , Myung-Mo Sung , Hee-Jung Yang , Beom-Seok Cho
- 优先权： KR10-2003-0000757 20030107
- 国际申请： PCT/KR03/00599 WO 20030326
- 主分类号： H01L29/76
- IPC分类号： H01L29/76
摘要：
The present invention relates to a thin film transistor substrate and a metal wiring method thereof, more particularly to a thin film transistor substrate comprising self-assembled monolayers between the substrate and the metal wiring, and a metal wiring method thereof. Since a thin film transistor substrate of the present invention comprises three-dimensionally cross-linked self-assembled monolayers between the Si surface and the metal wiring, it has good adhesion ability and anti-diffusion ability.
摘要（中）：
薄膜晶体管基板及其金属布线方法技术领域本发明涉及薄膜晶体管基板及其金属布线方法，更具体地涉及在基板和金属布线之间包括自组装单层的薄膜晶体管基板及其金属布线方法。 由于本发明的薄膜晶体管基板在Si表面和金属布线之间包含三维交联的自组装单层，因此具有良好的粘附能力和抗扩散能力。