发明申请
US20060147757A1 High density recording medium with super-resolution near-field structure manufactured using high-melting point metal oxide or silicon oxide mask layer
有权
基本信息:
- 专利标题： High density recording medium with super-resolution near-field structure manufactured using high-melting point metal oxide or silicon oxide mask layer
- 专利标题（中）：使用高熔点金属氧化物或氧化硅掩模层制造的具有超分辨率近场结构的高密度记录介质
- 申请号：US10529044 申请日：2003-09-24
- 公开(公告)号：US20060147757A1 公开(公告)日：2006-07-06
- 发明人： Joo-Ho Kim , Junji Tominaga
- 申请人： Joo-Ho Kim , Junji Tominaga
- 优先权： JP2002-281783 20020926
- 国际申请： PCT/KR03/01949 WO 20030924
- 主分类号： G11B5/66
- IPC分类号： G11B5/66
摘要：
A high density recording medium with a super-resolution near-field structure including a mask layer comprising high melting point metal oxide or silicon oxide. A high density recording medium with a super-resolution near-field structure includes a sequential stack of a second dielectric layer, a recording layer, a protective layer, a mask layer, a first dielectric layer, and a polycarbonate layer, wherein the mask layer comprises high melting point metal oxide or silicon oxide to generate a near field by optically or thermally inducing physical changes in the crystalline structure and optical properties of the high melting point metal oxide or silicon oxide.
摘要（中）：
一种具有包括高熔点金属氧化物或氧化硅的掩模层的超分辨率近场结构的高密度记录介质。 具有超分辨率近场结构的高密度记录介质包括第二介电层，记录层，保护层，掩模层，第一介电层和聚碳酸酯层的顺序堆叠，其中掩模层 包括高熔点金属氧化物或氧化硅，以通过光学或热诱导高熔点金属氧化物或氧化硅的晶体结构和光学性质的物理变化产生近场。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G11 | 信息存储 |
| ----G11B | 基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储 |
| ------G11B5/00 | 借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体 |
| --------G11B5/48 | .磁头相对于记录载体的配置或安装 |
| ----------G11B5/64 | ..仅由无须黏结剂的磁性材料构成的 |
| ------------G11B5/66 | ...由多层材料组成的记录载体 |