基本信息:
- 专利标题： Method for cleaning the surface of a substrate
- 专利标题（中）：洗涤基材表面的方法
- 申请号：US11072139 申请日：2005-03-04
- 公开(公告)号：US20050230344A1 公开(公告)日：2005-10-20
- 发明人： Frank Koschinsky , Volker Kahlert , Peter Huebler
- 申请人： Frank Koschinsky , Volker Kahlert , Peter Huebler
- 优先权： DE102004015865.7 20040331
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/283 ; H01L21/302 ; H01L21/768
摘要：
A cleaning process for cleaning the surface of a substrate is disclosed, wherein the surface comprises portions of a dielectric material and portions of a conductive material. According to the method disclosed, the temperature at the surface of the substrate is kept below a predefined value during the actual cleaning step in a reactive and/or inert plasma ambient, such as an argon gas ambient, wherein the predefined value corresponds to the surface temperature at which agglomeration of the conductive material occurs.
摘要（中）：
公开了用于清洁基底表面的清洁方法，其中所述表面包括介电材料的部分和导电材料的部分。 根据所公开的方法，在实际的清洁步骤中，在诸如氩气环境的反应性和/或惰性等离子体环境中，将衬底表面处的温度保持在预定值以下，其中预定值对应于表面 发生导电材料附聚的温度。
公开/授权文献:
- US07063091B2 Method for cleaning the surface of a substrate 公开/授权日：2006-06-20
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |