基本信息:
- 专利标题： Integrated circuit devices, edge seals therefor
- 专利标题（中）：集成电路器件，边缘封装
- 申请号：US11002098 申请日：2004-12-03
- 公开(公告)号：US20050151239A1 公开(公告)日：2005-07-14
- 发明人： Tze-Liang Lee
- 申请人： Tze-Liang Lee
- 申请人地址： TW Hsin-Chu
- 专利权人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： TW Hsin-Chu
- 优先权： TW93100873 20040114
- 主分类号： H01L21/78
- IPC分类号： H01L21/78 ; H01L23/04 ; H01L23/58
摘要：
An edge seal for a chip with integrated circuits. A first metal line extends along a periphery of the chip, with a first inter-metal dielectric layer on the first metal line. A second metal line overlies the first inter-metal dielectric layer and extends along the periphery of the chip. A plurality of first metal plugs in the first inter-metal dielectric layer connects the first metal line and the second metal line and at least one first metal wall in the first inter-metal dielectric layer is laterally adjacent to a periphery of the first metal line.
摘要（中）：
用于具有集成电路的芯片的边缘密封。 第一金属线沿着芯片的周边延伸，在第一金属线上具有第一金属间介电层。 第二金属线覆盖在第一金属间介电层上并且沿着芯片的周边延伸。 第一金属间电介质层中的多个第一金属插塞连接第一金属线和第二金属线，并且第一金属间介电层中的至少一个第一金属壁横向邻近于第一金属线的周边 。
公开/授权文献:
- US07235864B2 Integrated circuit devices, edge seals therefor 公开/授权日：2007-06-26
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |