发明申请
US20050151146A1 Crystallization mask, crystallization method, and method of manufacturing thin film transistor including crystallized semiconductor
有权
基本信息:
- 专利标题： Crystallization mask, crystallization method, and method of manufacturing thin film transistor including crystallized semiconductor
- 专利标题（中）：结晶掩模，结晶方法和制造包括结晶半导体的薄膜晶体管的方法
- 申请号：US10993648 申请日：2004-11-19
- 公开(公告)号：US20050151146A1 公开(公告)日：2005-07-14
- 发明人： Su-Gyeong Lee , Hyun-Jae Kim , Myung-Koo Kang
- 申请人： Su-Gyeong Lee , Hyun-Jae Kim , Myung-Koo Kang
- 申请人地址： KR Suwon-si
- 专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人地址： KR Suwon-si
- 优先权： KR10-2003-0082222 20031119
- 主分类号： G02F1/1362
- IPC分类号： G02F1/1362 ; B23K26/06 ; G02F1/13 ; H01L21/20 ; H01L21/268 ; H01L21/336 ; H01L29/786 ; H01L51/50 ; H05B33/10 ; H01L29/22 ; H01L29/227 ; H01L21/00 ; C30B1/00
摘要：
A crystallization mask for laser illumination for converting amorphous silicon into polysilicon is provided, which includes: a plurality of transmissive areas having a plurality of first slits for adjusting energy of the laser illumination passing through the mask; and an opaque area.
摘要（中）：
提供了一种用于将非晶硅转化为多晶硅的激光照明的结晶掩模，其包括：具有多个第一狭缝的多个透射区域，用于调节穿过掩模的激光照射的能量; 和不透明区域。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G02 | 光学 |
| ----G02F | 用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器 |
| ------G02F1/00 | 控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学 |
| --------G02F1/01 | .对强度、相位、偏振或颜色的控制 |
| ----------G02F1/09 | ..基于磁—光元件的，例如，呈现法拉第效应的 |
| ------------G02F1/133 | ...构造上的设备；液晶单元的工作；电路装置 |
| --------------G02F1/136 | ....结构上与一半导体层或基片相结合的液晶单元，例如形成集成电路部分的液晶单元 |
| ----------------G02F1/1362 | .....有源矩阵寻址单元 |